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TZ430N20KOFHPSA1

TZ430N20KOFHPSA1

Nur als Referenz

Teilenummer TZ430N20KOFHPSA1
PNEDA Teilenummer TZ430N20KOFHPSA1
Beschreibung SCR MODULE 2KV 1050A MODULE
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 4.122
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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TZ430N20KOFHPSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerTZ430N20KOFHPSA1
KategorieHalbleiterThyristorenThyristoren - SCRs - Module
Datenblatt
TZ430N20KOFHPSA1, TZ430N20KOFHPSA1 Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 456,86 KB)
PDFTZ430N20KOFHPSA1 Datenblatt Cover
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TZ430N20KOFHPSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
StrukturSingle
Anzahl der SCRs, Dioden1 SCR
Spannung - Aus Zustand2kV
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)669A
Current - On State (It (RMS)) (max.)1050A
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)2.2V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max)250mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)14000A @ 50Hz
Current - Hold (Ih) (Max)300mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule

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Serie

-

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Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs

Spannung - Aus Zustand

1.6kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

95A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

150A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

2000A, 2094A

Current - Hold (Ih) (Max)

250mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

ADD-A-PAK (3 + 4)

Hersteller

IXYS

Serie

-

Struktur

Common Anode - All SCRs

Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs

Spannung - Aus Zustand

1.4kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

700A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

1331A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

-

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

-

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

18200 @ 50MHz

Current - Hold (Ih) (Max)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

WC-500

Hersteller

IXYS

Serie

-

Struktur

Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes

Anzahl der SCRs, Dioden

3 SCRs, 3 Diodes

Spannung - Aus Zustand

1.2kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

110A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

58A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

1.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

100mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

1150A, 1230A

Current - Hold (Ih) (Max)

200mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

PWS-E2

VS-VSKT162/08PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Struktur

Series Connection - All SCRs

Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs

Spannung - Aus Zustand

800V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

160A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

355A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

4870A, 5100A

Current - Hold (Ih) (Max)

200mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

INT-A-PAK (3)

VS-P434

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Struktur

Bridge, Single Phase - All SCRs

Anzahl der SCRs, Dioden

4 SCRs

Spannung - Aus Zustand

1kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

-

Current - On State (It (RMS)) (max.)

40A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

60mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

385A, 400A

Current - Hold (Ih) (Max)

130mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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