TSM80N1R2CH C5G
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Teilenummer | TSM80N1R2CH C5G |
PNEDA Teilenummer | TSM80N1R2CH-C5G |
Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 5.5A TO251 |
Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
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TSM80N1R2CH C5G Ressourcen
Marke | Taiwan Semiconductor Corporation |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | TSM80N1R2CH C5G |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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TSM80N1R2CH C5G Technische Daten
Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 5.5A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 2.75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19.4nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 685pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 110W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-251 (IPAK) |
Paket / Fall | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
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