TSM4NB60CH X0G
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| Teilenummer | TSM4NB60CH X0G |
| PNEDA Teilenummer | TSM4NB60CH-X0G |
| Beschreibung | MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO251 |
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.484 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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TSM4NB60CH X0G Ressourcen
| Marke | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | TSM4NB60CH X0G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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TSM4NB60CH X0G Technische Daten
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 4A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5Ohm @ 2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.5nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 500pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 50W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-251 (IPAK) |
| Paket / Fall | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.02A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 142mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3nC @ 4.5V Vgs (Max) ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 110pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 240mW (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket - Paket / Fall SOT-563, SOT-666 |
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