TSM480P06CI C0G
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| Teilenummer | TSM480P06CI C0G |
| PNEDA Teilenummer | TSM480P06CI-C0G |
| Beschreibung | MOSFET P-CHANNEL |
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.808 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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TSM480P06CI C0G Ressourcen
| Marke | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | TSM480P06CI C0G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
TSM480P06CI C0G, TSM480P06CI C0G Datenblatt
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TSM480P06CI C0G Technische Daten
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Serie | - |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 20A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 48mOhm @ 8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22.4nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1250pF @ 30V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 27W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | ITO-220 |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 146nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5490pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 136W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TO-252AA Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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