TSM3N80CP ROG
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Teilenummer | TSM3N80CP ROG |
PNEDA Teilenummer | TSM3N80CP-ROG |
Beschreibung | MOSFET N-CHANNEL 800V 3A TO252 |
Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
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TSM3N80CP ROG Ressourcen
Marke | Taiwan Semiconductor Corporation |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | TSM3N80CP ROG |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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TSM3N80CP ROG Technische Daten
Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 3A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2Ohm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 696pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 94W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | TO-252, (D-Pak) |
Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie * FET-Typ - Technologie - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Lieferantengerätepaket - Paket / Fall - |
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