TSM2N100CH C5G
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| Teilenummer | TSM2N100CH C5G |
| PNEDA Teilenummer | TSM2N100CH-C5G |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO251 |
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
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| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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TSM2N100CH C5G Ressourcen
| Marke | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | TSM2N100CH C5G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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TSM2N100CH C5G Technische Daten
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 1.85A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5Ohm @ 900mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 625pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 77W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-251 (IPAK) |
| Paket / Fall | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
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Hersteller MaxLinear, Inc. Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 8Ohm @ 750mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 170pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 20W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-223 Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA |
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