TSM200N03DPQ33 RGG
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| Teilenummer | TSM200N03DPQ33 RGG |
| PNEDA Teilenummer | TSM200N03DPQ33-RGG |
| Beschreibung | MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN |
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.628 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 13 - Apr 18 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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TSM200N03DPQ33 RGG Ressourcen
| Marke | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | TSM200N03DPQ33 RGG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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TSM200N03DPQ33 RGG Technische Daten
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 20A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 345pF @ 25V |
| Leistung - max | 20W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerWDFN |
| Lieferantengerätepaket | 8-PDFN (3x3) |
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Hersteller IXYS Serie HiPerFET™, TrenchT2™ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 120A Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 178nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10500pF @ 25V Leistung - max 170W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall ISOPLUSi5-Pak™ Lieferantengerätepaket ISOPLUS i4-PAC™ |
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