TSM150P03PQ33 RGG
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| Teilenummer | TSM150P03PQ33 RGG |
| PNEDA Teilenummer | TSM150P03PQ33-RGG |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 30V 36A 8PDFN |
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.802 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 24 - Jan 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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TSM150P03PQ33 RGG Ressourcen
| Marke | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | TSM150P03PQ33 RGG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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TSM150P03PQ33 RGG Technische Daten
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Serie | - |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 36A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29.3nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1829pF @ 15V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 27.8W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-PDFN (3x3) |
| Paket / Fall | 8-PowerWDFN |
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