TSM100N06CZ C0G
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| Teilenummer | TSM100N06CZ C0G |
| PNEDA Teilenummer | TSM100N06CZ-C0G |
| Beschreibung | MOSFET N-CHANNEL 60V 100A TO220 |
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 10.692 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 31 - Jan 5 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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TSM100N06CZ C0G Ressourcen
| Marke | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | TSM100N06CZ C0G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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TSM100N06CZ C0G Technische Daten
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 100A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.7mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 92nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4382pF @ 30V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 167W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220 |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
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