TSM061NA03CV RGG
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| Teilenummer | TSM061NA03CV RGG |
| PNEDA Teilenummer | TSM061NA03CV-RGG |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN |
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.932 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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TSM061NA03CV RGG Ressourcen
| Marke | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | TSM061NA03CV RGG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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TSM061NA03CV RGG Technische Daten
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 66A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.1mOhm @ 16A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19.3nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1136pF @ 15V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 44.6W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-PDFN (3x3) |
| Paket / Fall | 8-PowerWDFN |
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