TPS2835DR
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| Teilenummer | TPS2835DR |
| PNEDA Teilenummer | TPS2835DR |
| Beschreibung | IC HS MOSFET DRIVER 14-SOIC |
| Hersteller | Texas Instruments |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.100 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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TPS2835DR Ressourcen
| Marke | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | TPS2835DR |
| Kategorie | Halbleiter › Energieverwaltungs-ICs › PMIC - Gate-Treiber |
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TPS2835DR Technische Daten
| Hersteller | |
| Serie | - |
| Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge |
| Kanaltyp | Synchronous |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Gate-Typ | N-Channel MOSFET |
| Spannung - Versorgung | 4.5V ~ 15V |
| Logikspannung - VIL, VIH | 1V, 2V |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | 2.7A, 2.4A |
| Eingabetyp | Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 28V |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 50ns, 40ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 14-SOIC |
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Hersteller Serie - Angetriebene Konfiguration Low-Side Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 5V ~ 40V Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.2V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 1.5A, 1.5A Eingabetyp Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 40ns, 30ns Betriebstemperatur -25°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Lieferantengerätepaket 16-SOIC |
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Hersteller Microchip Technology Serie - Angetriebene Konfiguration Low-Side Kanaltyp Single Anzahl der Treiber 1 Gate-Typ N-Channel, P-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 4.5V ~ 16V Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 500mA, 500mA Eingabetyp Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 25ns, 25ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Lieferantengerätepaket 8-MSOP |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Angetriebene Konfiguration Low-Side Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 6.5V ~ 18V Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.6V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 1.5A, 1.5A Eingabetyp Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 31ns, 32ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 8-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 8-PDIP |
