TPN6R003NL,LQ

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Teilenummer | TPN6R003NL,LQ |
PNEDA Teilenummer | TPN6R003NL-LQ |
Beschreibung | MOSFET N CH 30V 27A 8TSON-ADV |
Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 4.176 |
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TPN6R003NL Ressourcen
Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
ECAD Module |
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Mfr. Artikelnummer | TPN6R003NL,LQ |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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TPN6R003NL Technische Daten
Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
Serie | U-MOSVIII-H |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 27A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 13.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 200µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 700mW (Ta), 32W (Tc) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
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