TPN3300ANH,LQ
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Teilenummer | TPN3300ANH,LQ |
PNEDA Teilenummer | TPN3300ANH-LQ |
Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON |
Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
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TPN3300ANH Ressourcen
Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | TPN3300ANH,LQ |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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TPN3300ANH Technische Daten
Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
Serie | U-MOSVIII-H |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 9.4A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 4.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 880pF @ 50V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 700mW (Ta), 27W (Tc) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
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