TPN22006NH,LQ
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| Teilenummer | TPN22006NH,LQ |
| PNEDA Teilenummer | TPN22006NH-LQ |
| Beschreibung | MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.340 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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TPN22006NH Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | TPN22006NH,LQ |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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TPN22006NH Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | U-MOSVIII-H |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 9A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 4.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 710pF @ 30V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 700mW (Ta), 18W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
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