TPH6R004PL,LQ
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| Teilenummer | TPH6R004PL,LQ |
| PNEDA Teilenummer | TPH6R004PL-LQ |
| Beschreibung | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.334 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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TPH6R004PL Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | TPH6R004PL,LQ |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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TPH6R004PL Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | U-MOSIX-H |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 87A (Ta), 49A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 24.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 200µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2700pF @ 20V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1.8W (Ta), 81W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 175°C |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOP Advance (5x5) |
| Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
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Hersteller Micro Commercial Co Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 4.5V Vgs (Max) ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1275pF @ 6V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket DFN2020-6J Paket / Fall 6-WDFN Exposed Pad |
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