TPH2R608NH,L1Q
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Teilenummer | TPH2R608NH,L1Q |
PNEDA Teilenummer | TPH2R608NH-L1Q |
Beschreibung | MOSFET N-CH 75V 150A SOP8 |
Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Auf Lager | 3.780 |
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TPH2R608NH Ressourcen
Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | TPH2R608NH,L1Q |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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TPH2R608NH Technische Daten
Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
Serie | U-MOSVIII-H |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 150A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 72nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6000pF @ 37.5V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 142W (Tc) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | 8-SOP Advance (5x5) |
Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
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