TPH2R506PL,L1Q
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Teilenummer | TPH2R506PL,L1Q |
PNEDA Teilenummer | TPH2R506PL-L1Q |
Beschreibung | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR |
Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
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TPH2R506PL Ressourcen
Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | TPH2R506PL,L1Q |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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TPH2R506PL Technische Daten
Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
Serie | U-MOSIX-H |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 100A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4mOhm @ 30A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 500µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5435pF @ 30V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 132W (Tc) |
Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | 8-SOP Advance (5x5) |
Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
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