TPH2010FNH,L1Q
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Teilenummer | TPH2010FNH,L1Q |
PNEDA Teilenummer | TPH2010FNH-L1Q |
Beschreibung | MOSFET N-CH 250V 5.6A 8SOP |
Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 2.718 |
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TPH2010FNH Ressourcen
Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | TPH2010FNH,L1Q |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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TPH2010FNH Technische Daten
Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
Serie | U-MOSVIII-H |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 5.6A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 198mOhm @ 2.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 200µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 600pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1.6W (Ta), 42W (Tc) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | 8-SOP Advance (5x5) |
Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
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