TPH1R403NL,L1Q
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| Teilenummer | TPH1R403NL,L1Q |
| PNEDA Teilenummer | TPH1R403NL-L1Q |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 60A 8-SOP |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.646 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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TPH1R403NL Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | TPH1R403NL,L1Q |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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TPH1R403NL Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | U-MOSVIII-H |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 60A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 500µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4400pF @ 15V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1.6W (Ta), 64W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOP Advance (5x5) |
| Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 13.9A (Ta), 35A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.3mOhm @ 13.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 59nC @ 10V Vgs (Max) ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8SH Paket / Fall PowerPAK® 1212-8SH |
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