Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

TPH1R403NL,L1Q

TPH1R403NL,L1Q

Nur als Referenz

Teilenummer TPH1R403NL,L1Q
PNEDA Teilenummer TPH1R403NL-L1Q
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 60A 8-SOP
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 2.646
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 24 - Mär 1 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

TPH1R403NL Ressourcen

Marke Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerTPH1R403NL,L1Q
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • TPH1R403NL,L1Q Datasheet
  • where to find TPH1R403NL,L1Q
  • Toshiba Semiconductor and Storage

  • Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R403NL,L1Q
  • TPH1R403NL,L1Q PDF Datasheet
  • TPH1R403NL,L1Q Stock

  • TPH1R403NL,L1Q Pinout
  • Datasheet TPH1R403NL,L1Q
  • TPH1R403NL,L1Q Supplier

  • Toshiba Semiconductor and Storage Distributor
  • TPH1R403NL,L1Q Price
  • TPH1R403NL,L1Q Distributor

TPH1R403NL Technische Daten

HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
SerieU-MOSVIII-H
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.60A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.3V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs46nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds4400pF @ 15V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)1.6W (Ta), 64W (Tc)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket8-SOP Advance (5x5)
Paket / Fall8-PowerVDFN

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

NTMFS4945NT3G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.4A (Ta), 35A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.6nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1205pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

910mW (Ta), 19.8W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Paket / Fall

8-PowerTDFN, 5 Leads

STF13N95K3

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

SuperMESH3™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

950V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

850mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

51nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1620pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

40W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220FP

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

IRFR9120TR

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

600mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

390pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 42W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-Pak

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

FDS4070N3

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

15.3A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5mOhm @ 15.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

67nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2819pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SO

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

SISH617DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

13.9A (Ta), 35A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.3mOhm @ 13.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

59nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.7W (Ta), 52W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® 1212-8SH

Paket / Fall

PowerPAK® 1212-8SH

Kürzlich verkauft

DS1624S+

DS1624S+

Maxim Integrated

SENSOR DIGITAL -55C-125C 8SOIC

LT8609SEV#PBF

LT8609SEV#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG BUCK ADJUSTABLE 2A 16LQFN

NC7SZ125M5X

NC7SZ125M5X

ON Semiconductor

IC BUF NON-INVERT 5.5V SOT23-5

IHLP2525CZERR47M01

IHLP2525CZERR47M01

Vishay Dale

FIXED IND 470NH 17.5A 4.2 MOHM

LG Q971-KN-1

LG Q971-KN-1

OSRAM Opto Semiconductors Inc.

LED GREEN DIFFUSED SMD

74HCT4052D,118

74HCT4052D,118

Nexperia

IC MUX/DEMUX DUAL 4X1 16SOIC

ABS05-32.768KHZ-T

ABS05-32.768KHZ-T

Abracon

CRYSTAL 32.7680KHZ 12.5PF SMD

ATMEGA1280-16AU

ATMEGA1280-16AU

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 128KB FLASH 100TQFP

VUB72-12NOXT

VUB72-12NOXT

IXYS

BRIDGE RECT 3P 1.2KV 75A V1A-PAK

IRG7PH42UDPBF

IRG7PH42UDPBF

Infineon Technologies

IGBT 1200V 85A 320W TO247AC

CP2103-GMR

CP2103-GMR

Silicon Labs

IC CTRLR BRIDGE USB-UART 28MLP

AT24C256C-SSHL-T

AT24C256C-SSHL-T

Microchip Technology

IC EEPROM 256K I2C 1MHZ 8SOIC