TPH14006NH,L1Q
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| Teilenummer | TPH14006NH,L1Q |
| PNEDA Teilenummer | TPH14006NH-L1Q |
| Beschreibung | MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.830 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 29 - Mai 4 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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TPH14006NH Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | TPH14006NH,L1Q |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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TPH14006NH Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | U-MOSVIII-H |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 14A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 200µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 30V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1.6W (Ta), 32W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOP Advance (5x5) |
| Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
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Hersteller IXYS Serie HiPerFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 900V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 26A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 240nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10800pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 560W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-264AA (IXFK) Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA |
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