TPCC8006-H(TE12LQM
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| Teilenummer | TPCC8006-H(TE12LQM |
| PNEDA Teilenummer | TPCC8006-H-TE12LQM |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.806 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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TPCC8006-H(TE12LQM Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | TPCC8006-H(TE12LQM |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
TPCC8006-H(TE12LQM, TPCC8006-H(TE12LQM Datenblatt
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TPCC8006-H(TE12LQM Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | U-MOSVI-H |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 22A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 11A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 200µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2200pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 700mW (Ta), 27W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
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Hersteller Infineon Technologies Serie CoolMOS™ E6 FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7.3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 2.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20.5nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 440pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 63W (Tc) Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TO-252 Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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