TPC8A06-H(TE12LQM)
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| Teilenummer | TPC8A06-H(TE12LQM) |
| PNEDA Teilenummer | TPC8A06-H-TE12LQM |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.448 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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TPC8A06-H(TE12LQM) Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | TPC8A06-H(TE12LQM) |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
TPC8A06-H(TE12LQM), TPC8A06-H(TE12LQM) Datenblatt
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TPC8A06-H(TE12LQM) Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 12A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.1mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 10V |
| FET-Funktion | Schottky Diode (Body) |
| Verlustleistung (max.) | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOP (5.5x6.0) |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
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