TPC8212-H(TE12LQ,M
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| Teilenummer | TPC8212-H(TE12LQ,M |
| PNEDA Teilenummer | TPC8212-H-TE12LQ-M |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8 |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.382 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 27 - Apr 1 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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TPC8212-H(TE12LQ Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | TPC8212-H(TE12LQ,M |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
TPC8212-H(TE12LQ, TPC8212-H(TE12LQ Datenblatt
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TPC8212-H(TE12LQ Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 6A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 840pF @ 10V |
| Leistung - max | 450mW |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOP (5.5x6.0) |
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Hersteller Serie NexFET™ FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 15A Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.3mOhm @ 8A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id 1.9V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 564pF @ 15V Leistung - max 4W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 5-LGA Lieferantengerätepaket 5-PTAB (3x2.5) |
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