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TP2640LG-G

TP2640LG-G

Nur als Referenz

Teilenummer TP2640LG-G
PNEDA Teilenummer TP2640LG-G
Beschreibung MOSFET P-CH 400V 0.086A 8SOIC
Hersteller Microchip Technology
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Auf Lager 5.508
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

TP2640LG-G Ressourcen

Marke Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerTP2640LG-G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

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TP2640LG-G Technische Daten

HerstellerMicrochip Technology
Serie-
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)400V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.86mA (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs15Ohm @ 300mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds300pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)740mW (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket8-SOIC
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

EPC

Serie

eGaN®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

GaNFET (Gallium Nitride)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

31A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.6mOhm @ 30A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 15mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 5V

Vgs (Max)

+6V, -4V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 300V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

Die

Paket / Fall

Die

TSM60NB190CZ C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

18A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1273pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

33.8W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220

Paket / Fall

TO-220-3

IPC90N04S5L3R3ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

90A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.3mOhm @ 45A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 23µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2145pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

62W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TDSON-8-34

Paket / Fall

8-PowerTDFN

TPH8R903NL,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSVIII-H

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.9mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.8nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

820pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.6W (Ta), 24W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SOP Advance (5x5)

Paket / Fall

8-PowerVDFN

FQD24N08TF

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

19.6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 9.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

750pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 50W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-Pak

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Kürzlich verkauft

LM2596DSADJR4G

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ON Semiconductor

IC REG MULT CONFG ADJ 3A D2PAK-5

MCP1725-3302E/MC

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IC REG LINEAR 3.3V 500MA 8DFN

MAX333AEWP

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IC SWITCH QUAD SPDT 20SOIC

ATXMEGA32A4U-AU

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Microchip Technology

IC MCU 8/16BIT 32KB FLASH 44TQFP

CY2305CSXI-1H

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Cypress Semiconductor

IC CLK ZDB 5OUT 133MHZ 8SOIC

BC857B

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STMicroelectronics

TRANS PNP 45V 0.1A SOT23

RCLAMP3654P.TCT

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Semtech

TVS DIODE 5.5V 30V SLP1616P6

NTJD4001NT1G

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ON Semiconductor

MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT-363

LG Q971-KN-1

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OSRAM Opto Semiconductors Inc.

LED GREEN DIFFUSED SMD

LTM2882HY-3#PBF

LTM2882HY-3#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC TXRX ISOL HALF 2/2 32BGA

M28W160CT70N6E

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Micron Technology Inc.

IC FLASH 16M PARALLEL 48TSOP

LH1511BAB

LH1511BAB

Vishay Semiconductor Opto Division

SSR RELAY SPST-NC 200MA 0-200V