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TP0610K-T1-E3

TP0610K-T1-E3

Nur als Referenz

Teilenummer TP0610K-T1-E3
PNEDA Teilenummer TP0610K-T1-E3
Beschreibung MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3
Hersteller Vishay Siliconix
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Auf Lager 643.050
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TP0610K-T1-E3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerTP0610K-T1-E3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
TP0610K-T1-E3, TP0610K-T1-E3 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 212,19 KB)
PDFTP0610K-T1 Datenblatt Cover
TP0610K-T1 Datenblatt Seite 2 TP0610K-T1 Datenblatt Seite 3 TP0610K-T1 Datenblatt Seite 4 TP0610K-T1 Datenblatt Seite 5 TP0610K-T1 Datenblatt Seite 6 TP0610K-T1 Datenblatt Seite 7 TP0610K-T1 Datenblatt Seite 8

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TP0610K-T1-E3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.185mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.7nC @ 15V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds23pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)350mW (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketSOT-23-3 (TO-236)
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IRFU3410PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

31A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

39mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

56nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1690pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3W (Ta), 110W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

IPAK (TO-251)

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

BS108,126

NXP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

300mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.8V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5Ohm @ 100mA, 2.8V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

120pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

CSD18537NQ5AT

Texas Instruments

Hersteller

Serie

NexFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

50A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1480pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.2W (Ta), 75W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-VSONP (5x6)

Paket / Fall

8-PowerTDFN

TPCA8009-H(TE12L,Q

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

150V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

350mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.6W (Ta), 45W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SOP Advance (5x5)

Paket / Fall

8-PowerVDFN

IPU60R2K0C6BKMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.4A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 760mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 60µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.7nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

140pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

22.3W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO251-3

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Kürzlich verkauft

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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TVS DIODE 5V 9.2V SMB

LPC2388FBD144,551

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DIODE ZENER 3.6V 500MW SOD123

IHLP2525CZERR47M01

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FIXED IND 470NH 17.5A 4.2 MOHM

FDS6910

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ON Semiconductor

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Renesas Electronics America Inc.

IC POWER SUPPLY SEQUENCER 24QFN

M48T59Y-70PC1

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STMicroelectronics

IC RTC CLK/CALENDAR PAR 28DIP

XC6SLX100-3CSG484I

XC6SLX100-3CSG484I

Xilinx

IC FPGA 338 I/O 484CSBGA

AT25M01-SSHM-T

AT25M01-SSHM-T

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