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TN6714A_D27Z

TN6714A_D27Z

Nur als Referenz

Teilenummer TN6714A_D27Z
PNEDA Teilenummer TN6714A_D27Z
Beschreibung TRANS NPN 30V 2A TO-226
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 6.228
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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TN6714A_D27Z Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerTN6714A_D27Z
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
TN6714A_D27Z, TN6714A_D27Z Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 732,51 KB)
PDFTN6714A_D27Z Datenblatt Cover
TN6714A_D27Z Datenblatt Seite 2 TN6714A_D27Z Datenblatt Seite 3 TN6714A_D27Z Datenblatt Seite 4 TN6714A_D27Z Datenblatt Seite 5 TN6714A_D27Z Datenblatt Seite 6 TN6714A_D27Z Datenblatt Seite 7 TN6714A_D27Z Datenblatt Seite 8 TN6714A_D27Z Datenblatt Seite 9 TN6714A_D27Z Datenblatt Seite 10 TN6714A_D27Z Datenblatt Seite 11

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TN6714A_D27Z Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)2A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)30V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic500mV @ 100mA, 1A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce50 @ 1A, 1V
Leistung - max1W
Frequenz - Übergang-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
LieferantengerätepaketTO-226

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

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Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 100mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 500mA, 5V

Leistung - max

500mW

Frequenz - Übergang

150MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23

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Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

80V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

180 @ 100mA, 3V

Leistung - max

2W

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

MPT3

FJC1308PTF

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

450mV @ 150mA, 1.5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 500mA, 2V

Leistung - max

500mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

SOT-89-3

MMBT4354

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

800mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 5V

Leistung - max

350mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

BC184B

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

15nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

250 @ 2mA, 5V

Leistung - max

300mW

Frequenz - Übergang

280MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92

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