TN0702N3-G
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| Teilenummer | TN0702N3-G |
| PNEDA Teilenummer | TN0702N3-G |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 20V 530MA TO92-3 |
| Hersteller | Microchip Technology |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 14.076 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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TN0702N3-G Ressourcen
| Marke | Microchip Technology |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | TN0702N3-G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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TN0702N3-G Technische Daten
| Hersteller | Microchip Technology |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 530mA (Tj) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2V, 5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3Ohm @ 500mA, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 200pF @ 20V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-92-3 |
| Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 31A (Ta), 150A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2mOhm @ 31A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.45V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 69nC @ 4.5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6290pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.8W (Ta), 89W (Tc) Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket DIRECTFET™ MT Paket / Fall DirectFET™ Isometric MT |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 14.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 15A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75nC @ 5V Vgs (Max) ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7300pF @ 16V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-SO Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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