TN0110N3-G-P002
Nur als Referenz
Teilenummer | TN0110N3-G-P002 |
PNEDA Teilenummer | TN0110N3-G-P002 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3 |
Hersteller | Microchip Technology |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 2.070 |
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TN0110N3-G-P002 Ressourcen
Marke | Microchip Technology |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | TN0110N3-G-P002 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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TN0110N3-G-P002 Technische Daten
Hersteller | Microchip Technology |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 350mA (Tj) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 500µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 60pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-92-3 |
Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
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