TLP385(GR-TPR,E
Nur als Referenz
| Teilenummer | TLP385(GR-TPR,E |
| PNEDA Teilenummer | TLP385-GR-TPR-E |
| Beschreibung | TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.096 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 24 - Mär 1 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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TLP385(GR-TPR Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | TLP385(GR-TPR,E |
| Kategorie | Halbleiter › Isolatoren › Optoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang |
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TLP385(GR-TPR Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Anzahl der Kanäle | 1 |
| Spannungsisolation | 5000Vrms |
| Stromübertragungsverhältnis (min) | 100% @ 5mA |
| Stromübertragungsverhältnis (max.) | 300% @ 5mA |
| Ein- / Ausschaltzeit (Typ) | 3µs, 3µs |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 2µs, 3µs |
| Eingabetyp | DC |
| Ausgabetyp | Transistor |
| Spannung - Ausgang (max.) | 80V |
| Strom - Ausgang / Kanal | 50mA |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1.25V |
| Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) | 50mA |
| Vce-Sättigung (max.) | 300mV |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 110°C |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads |
| Lieferantengerätepaket | 6-SO, 4 Lead |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 4170Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 100% @ 10mA Stromübertragungsverhältnis (max.) 200% @ 10mA Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 2µs, 3µs Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 4µs, 3.5µs (Max) Eingabetyp DC Ausgabetyp Transistor with Base Spannung - Ausgang (max.) 70V Strom - Ausgang / Kanal 50mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.35V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 60mA Vce-Sättigung (max.) 400mV Betriebstemperatur -40°C ~ 100°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall 6-DIP (0.400", 10.16mm) Lieferantengerätepaket 6-DIP |
Hersteller CEL Serie NEPOC Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 5000Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 15% @ 16mA Stromübertragungsverhältnis (max.) - Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 500ns, 300ns Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) - Eingabetyp DC Ausgabetyp Transistor Spannung - Ausgang (max.) 35V Strom - Ausgang / Kanal 8mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.7V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 25mA Vce-Sättigung (max.) - Betriebstemperatur -55°C ~ 100°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall 8-DIP (0.400", 10.16mm) Lieferantengerätepaket 8-DIP |
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 5000Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 100% @ 1mA Stromübertragungsverhältnis (max.) 1200% @ 1mA Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 10µs, 8µs Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 8µs, 8µs Eingabetyp DC Ausgabetyp Transistor with Base Spannung - Ausgang (max.) 55V Strom - Ausgang / Kanal 50mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.15V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 50mA Vce-Sättigung (max.) 400mV Betriebstemperatur -55°C ~ 100°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall 6-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 6-DIP |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 7500Vpk Stromübertragungsverhältnis (min) 10% @ 10mA Stromübertragungsverhältnis (max.) - Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 2µs, 2µs Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) - Eingabetyp DC Ausgabetyp Transistor with Base Spannung - Ausgang (max.) 30V Strom - Ausgang / Kanal - Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.18V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 60mA Vce-Sättigung (max.) 400mV Betriebstemperatur -40°C ~ 100°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall 6-DIP (0.400", 10.16mm) Lieferantengerätepaket 6-DIP |
