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TLP182(Y,E

TLP182(Y,E

Nur als Referenz

Teilenummer TLP182(Y,E
PNEDA Teilenummer TLP182-Y-E
Beschreibung X36 PB-F TRANSISTOR OPTOCOUPLER
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
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Auf Lager 5.634
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 30 - Jan 4 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

TLP182(Y Ressourcen

Marke Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerTLP182(Y,E
KategorieHalbleiterIsolatorenOptoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang

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TLP182(Y Technische Daten

HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
Anzahl der Kanäle1
Spannungsisolation3750Vrms
Stromübertragungsverhältnis (min)50% @ 5mA
Stromübertragungsverhältnis (max.)150% @ 5mA
Ein- / Ausschaltzeit (Typ)3µs, 3µs
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)2µs, 3µs
EingabetypAC, DC
AusgabetypTransistor
Spannung - Ausgang (max.)80V
Strom - Ausgang / Kanal50mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)1.25V
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)50mA
Vce-Sättigung (max.)300mV
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 4 Leads
Lieferantengerätepaket6-SO, 4 Lead

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Hersteller

Everlight Electronics Co Ltd

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5000Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

160% @ 10mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

320% @ 10mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

10µs, 9µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

6µs, 8µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor with Base

Spannung - Ausgang (max.)

80V

Strom - Ausgang / Kanal

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.65V (Max)

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

60mA

Vce-Sättigung (max.)

300mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 110°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SMD, Gull Wing

Lieferantengerätepaket

6-SMD

Hersteller

CEL

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

2500Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

80% @ 5mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

600% @ 5mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

6µs, 5µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

3µs, 5µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

80V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.1V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

50mA

Vce-Sättigung (max.)

300mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 100°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

4-SSOP

TLP385(D4GH-TR,E

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5000Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

50% @ 5mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

600% @ 5mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

3µs, 3µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

2µs, 3µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

80V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.25V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

50mA

Vce-Sättigung (max.)

300mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 110°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads

Lieferantengerätepaket

6-SO, 4 Lead

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Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Anzahl der Kanäle

4

Spannungsisolation

5000Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

130% @ 5mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

400% @ 5mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

4µs, 3µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

70V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.2V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

50mA

Vce-Sättigung (max.)

200mV

Betriebstemperatur

-30°C ~ 100°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

16-DIP

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Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

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Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5000Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

50% @ 5mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

400% @ 5mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

3µs, 5µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

70V

Strom - Ausgang / Kanal

30mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.2V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

30mA

Vce-Sättigung (max.)

300mV

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