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TLP131(GB-TPR,F)

TLP131(GB-TPR,F)

Nur als Referenz

Teilenummer TLP131(GB-TPR,F)
PNEDA Teilenummer TLP131-GB-TPR-F
Beschreibung OPTOISO 3.75KV TRANS 6-MFSOP
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
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Auf Lager 6.534
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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TLP131(GB-TPR Ressourcen

Marke Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerTLP131(GB-TPR,F)
KategorieHalbleiterIsolatorenOptoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang
Datenblatt
TLP131(GB-TPR, TLP131(GB-TPR Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 177,37 KB)
PDFTLP131(GB-TPR Datenblatt Cover
TLP131(GB-TPR Datenblatt Seite 2 TLP131(GB-TPR Datenblatt Seite 3 TLP131(GB-TPR Datenblatt Seite 4 TLP131(GB-TPR Datenblatt Seite 5 TLP131(GB-TPR Datenblatt Seite 6 TLP131(GB-TPR Datenblatt Seite 7 TLP131(GB-TPR Datenblatt Seite 8 TLP131(GB-TPR Datenblatt Seite 9

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TLP131(GB-TPR Technische Daten

HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
Anzahl der Kanäle1
Spannungsisolation3750Vrms
Stromübertragungsverhältnis (min)100% @ 5mA
Stromübertragungsverhältnis (max.)600% @ 5mA
Ein- / Ausschaltzeit (Typ)3µs, 3µs
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)2µs, 3µs
EingabetypDC
AusgabetypTransistor with Base
Spannung - Ausgang (max.)80V
Strom - Ausgang / Kanal50mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)1.15V
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)50mA
Vce-Sättigung (max.)400mV
Betriebstemperatur-55°C ~ 100°C
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads
Lieferantengerätepaket6-MFSOP, 5 Lead

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Hersteller

Vishay Semiconductor Opto Division

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5000Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

63% @ 10mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

125% @ 10mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

3µs, 2.3µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

2µs, 2µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor with Base

Spannung - Ausgang (max.)

70V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.39V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

60mA

Vce-Sättigung (max.)

400mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 110°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SMD, Gull Wing

Lieferantengerätepaket

6-SMD

TIL113S1(TA)-V

Everlight Electronics Co Ltd

Hersteller

Everlight Electronics Co Ltd

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5000Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

300% @ 10mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

-

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

5µs, 100µs (Max)

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Darlington with Base

Spannung - Ausgang (max.)

55V

Strom - Ausgang / Kanal

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.2V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

60mA

Vce-Sättigung (max.)

1.2V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 100°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SMD, Gull Wing

Lieferantengerätepaket

6-SMD

PC81101NSZ

Sharp Microelectronics

Hersteller

Sharp Microelectronics

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5000Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

60% @ 5mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

120% @ 5mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

2µs, 23µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

3µs, 2µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

70V

Strom - Ausgang / Kanal

30mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.2V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

50mA

Vce-Sättigung (max.)

350mV

Betriebstemperatur

-30°C ~ 100°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

4-DIP

H11AA1

Everlight Electronics Co Ltd

Hersteller

Everlight Electronics Co Ltd

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5000Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

20% @ 10mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

-

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

10µs, 10µs (Max)

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

10µs, 10µs (Max)

Eingabetyp

AC, DC

Ausgabetyp

Transistor with Base

Spannung - Ausgang (max.)

80V

Strom - Ausgang / Kanal

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.2V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

60mA

Vce-Sättigung (max.)

400mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 100°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

6-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

6-DIP

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Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

3750Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

200% @ 5mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

400% @ 5mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

3µs, 3µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

2µs, 3µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

80V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.25V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

50mA

Vce-Sättigung (max.)

300mV

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