TK380A60Y,S4X
Nur als Referenz
| Teilenummer | TK380A60Y,S4X |
| PNEDA Teilenummer | TK380A60Y-S4X |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.910 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 21 - Apr 26 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
TK380A60Y Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | TK380A60Y,S4X |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- TK380A60Y,S4X Datasheet
- where to find TK380A60Y,S4X
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Toshiba Semiconductor and Storage TK380A60Y,S4X
- TK380A60Y,S4X PDF Datasheet
- TK380A60Y,S4X Stock
- TK380A60Y,S4X Pinout
- Datasheet TK380A60Y,S4X
- TK380A60Y,S4X Supplier
- Toshiba Semiconductor and Storage Distributor
- TK380A60Y,S4X Price
- TK380A60Y,S4X Distributor
TK380A60Y Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | DTMOSV |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 9.7A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 4.9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 360µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 590pF @ 300V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 30W |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220SIS |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 400V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8.9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 540mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24.5nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 30V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2W (Ta), 33W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220FI(LS) Paket / Fall TO-220-3 Full Pack |
Hersteller Micro Commercial Co Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8.2A Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 4.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V Vgs (Max) ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1255pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.05W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-TSSOP Paket / Fall 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 73A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.1mOhm @ 36A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 55µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46.2nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1710pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 107W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PG-TO263-3-2 Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Hersteller IXYS Serie HiPerFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 23A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 135nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4200pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 230W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket ISOPLUS220™ Paket / Fall ISOPLUS220™ |
Hersteller IXYS Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 44A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220AB Paket / Fall TO-220-3 |
