TK31E60W,S1VX
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Teilenummer | TK31E60W,S1VX |
PNEDA Teilenummer | TK31E60W-S1VX |
Beschreibung | MOSFET N CH 600V 30.8A TO-220 |
Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 4.392 |
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TK31E60W Ressourcen
Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | TK31E60W,S1VX |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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TK31E60W Technische Daten
Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
Serie | DTMOSIV |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 30.8A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 88mOhm @ 15.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 1.5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3000pF @ 300V |
FET-Funktion | Super Junction |
Verlustleistung (max.) | 230W (Tc) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-220 |
Paket / Fall | TO-220-3 |
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