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TK13A65U(STA4,Q,M)

TK13A65U(STA4,Q,M)

Nur als Referenz

Teilenummer TK13A65U(STA4,Q,M)
PNEDA Teilenummer TK13A65U-STA4-Q-M
Beschreibung MOSFET N-CH 650V 13A TO-220SIS
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
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Auf Lager 5.130
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TK13A65U(STA4 Ressourcen

Marke Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerTK13A65U(STA4,Q,M)
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

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TK13A65U(STA4 Technische Daten

HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
SerieDTMOSII
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.13A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs380mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds950pF @ 10V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)40W (Tc)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220SIS
Paket / FallTO-220-3 Full Pack

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.9A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 2.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 240µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

570pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

63W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-252-3

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IRFH6200TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

49A (Ta), 100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

0.95mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 150µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

230nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

10890pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.6W (Ta), 156W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-PQFN (5x6)

Paket / Fall

8-PowerVDFN

IPP04N03LA

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.2mOhm @ 55A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 60µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3877pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

107W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3

Paket / Fall

TO-220-3

NTMJS1D3N04CTWG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

41A (Ta), 235A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.3mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 170µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

65nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4300pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.8W (Ta), 128W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-LFPAK

Paket / Fall

8-PowerSMD, Gull Wing

2SK3708

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

33mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

73nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4200pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2W (Ta), 30W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220ML

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

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ON Semiconductor

TRANS PNP 40V 0.1A TO-92

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