TK10J80E,S1E
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| Teilenummer | TK10J80E,S1E |
| PNEDA Teilenummer | TK10J80E-S1E |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 800V TO-3PN |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.952 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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TK10J80E Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | TK10J80E,S1E |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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TK10J80E Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | π-MOSVIII |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 10A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 250W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-3P(N) |
| Paket / Fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
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