TK10J80E,S1E
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Teilenummer | TK10J80E,S1E |
PNEDA Teilenummer | TK10J80E-S1E |
Beschreibung | MOSFET N-CH 800V TO-3PN |
Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 2.952 |
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TK10J80E Ressourcen
Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | TK10J80E,S1E |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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TK10J80E Technische Daten
Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
Serie | π-MOSVIII |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 10A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 250W (Tc) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-3P(N) |
Paket / Fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
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