TJ30S06M3L(T6L1,NQ
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| Teilenummer | TJ30S06M3L(T6L1,NQ |
| PNEDA Teilenummer | TJ30S06M3L-T6L1-NQ |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 60V 30A DPAK-3 |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.898 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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TJ30S06M3L(T6L1 Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | TJ30S06M3L(T6L1,NQ |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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TJ30S06M3L(T6L1 Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | U-MOSVI |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 30A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21.8mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
| Vgs (Max) | +10V, -20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3950pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 68W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | DPAK+ |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 18A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs 286mOhm @ 9A, 15V Vgs (th) (Max) @ Id 7V @ 4.2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 15V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 72W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220FM Paket / Fall TO-220-3 Full Pack |
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