TIP140G
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| Teilenummer | TIP140G |
| PNEDA Teilenummer | TIP140G |
| Beschreibung | TRANS NPN DARL 60V 10A TO247 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.492 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 9 - Feb 14 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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TIP140G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | TIP140G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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TIP140G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN - Darlington |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 10A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 60V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 10A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 2mA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 1000 @ 5A, 4V |
| Leistung - max | 125W |
| Frequenz - Übergang | - |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie * Transistortyp - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Leistung - max - Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.7V @ 600mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 100mA, 1V Leistung - max 1.5W Frequenz - Übergang 50MHz Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket TO-126-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 300mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 30µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 500mA, 5V Leistung - max 30W Frequenz - Übergang 8MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 5V Leistung - max 310mW Frequenz - Übergang 150MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 2.5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 70V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 260mV @ 200mA, 1.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 25nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 1.5A, 5V Leistung - max 3W Frequenz - Übergang 180MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 3-UDFN Lieferantengerätepaket DFN2020B-3 |
