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TIL113S1(TA)-V

TIL113S1(TA)-V

Nur als Referenz

Teilenummer TIL113S1(TA)-V
PNEDA Teilenummer TIL113S1-TA-V
Beschreibung OPTOISO 5KV DARL W/BASE 6SMD
Hersteller Everlight Electronics Co Ltd
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Auf Lager 6.354
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 26 - Dez 31 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

TIL113S1(TA)-V Ressourcen

Marke Everlight Electronics Co Ltd
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerTIL113S1(TA)-V
KategorieHalbleiterIsolatorenOptoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang
Datenblatt
TIL113S1(TA)-V, TIL113S1(TA)-V Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 713,95 KB)
PDFH11B3 Datenblatt Cover
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TIL113S1(TA)-V Technische Daten

HerstellerEverlight Electronics Co Ltd
Serie-
Anzahl der Kanäle1
Spannungsisolation5000Vrms
Stromübertragungsverhältnis (min)300% @ 10mA
Stromübertragungsverhältnis (max.)-
Ein- / Ausschaltzeit (Typ)5µs, 100µs (Max)
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)-
EingabetypDC
AusgabetypDarlington with Base
Spannung - Ausgang (max.)55V
Strom - Ausgang / Kanal-
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)1.2V
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)60mA
Vce-Sättigung (max.)1.2V
Betriebstemperatur-55°C ~ 100°C
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-SMD, Gull Wing
Lieferantengerätepaket6-SMD

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Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Anzahl der Kanäle

2

Spannungsisolation

1500VDC

Stromübertragungsverhältnis (min)

9% @ 16mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

-

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

400ns, 1µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor with Base

Spannung - Ausgang (max.)

20V

Strom - Ausgang / Kanal

8mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.55V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

20mA

Vce-Sättigung (max.)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 125°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

8-DIP

6N136

Everlight Electronics Co Ltd

Hersteller

Everlight Electronics Co Ltd

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5000Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

19% @ 16mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

50% @ 16mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

350ns, 300ns

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor with Base

Spannung - Ausgang (max.)

20V

Strom - Ausgang / Kanal

8mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.45V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

25mA

Vce-Sättigung (max.)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 100°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

8-DIP

TIL113M

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

4170Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

300% @ 10mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

-

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

5µs, 100µs (Max)

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Darlington with Base

Spannung - Ausgang (max.)

30V

Strom - Ausgang / Kanal

150mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.2V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

80mA

Vce-Sättigung (max.)

1.25V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 100°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

6-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

6-DIP

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

3750Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

50% @ 5mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

400% @ 5mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

7µs, 7µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

4µs, 7µs

Eingabetyp

AC, DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

80V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.25V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

50mA

Vce-Sättigung (max.)

300mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 110°C

Montagetyp

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Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Anzahl der Kanäle

2

Spannungsisolation

3750Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

7% @ 16mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

50% @ 16mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

200ns, 1.3µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

20V

Strom - Ausgang / Kanal

8mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.5V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

25mA

Vce-Sättigung (max.)

-

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