THGBMJG6C1LBAU7
Nur als Referenz
| Teilenummer | THGBMJG6C1LBAU7 |
| PNEDA Teilenummer | THGBMJG6C1LBAU7 |
| Beschreibung | 8GB V5.1 I TEMP EMMC |
| Hersteller | Toshiba Memory America, Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.408 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 4 - Nov 9 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
THGBMJG6C1LBAU7 Ressourcen
| Marke | Toshiba Memory America, Inc. |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | THGBMJG6C1LBAU7 |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- THGBMJG6C1LBAU7 Datasheet
- where to find THGBMJG6C1LBAU7
- Toshiba Memory America, Inc.
- Toshiba Memory America, Inc. THGBMJG6C1LBAU7
- THGBMJG6C1LBAU7 PDF Datasheet
- THGBMJG6C1LBAU7 Stock
- THGBMJG6C1LBAU7 Pinout
- Datasheet THGBMJG6C1LBAU7
- THGBMJG6C1LBAU7 Supplier
- Toshiba Memory America, Inc. Distributor
- THGBMJG6C1LBAU7 Price
- THGBMJG6C1LBAU7 Distributor
THGBMJG6C1LBAU7 Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Memory America, Inc. |
| Serie | e•MMC™ |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH - NAND |
| Speichergröße | 64Gb (8G x 8) |
| Speicherschnittstelle | eMMC |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 153-WFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 153-FBGA (11.5x13) |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat NVSRAM Technologie NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 45ns Zugriffszeit 45ns Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.45V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 48-BSSOP (0.295", 7.50mm Width) Lieferantengerätepaket 48-SSOP |
Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - DDR2 Speichergröße 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 400ps Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 84-TFBGA Lieferantengerätepaket 84-FBGA (10x12.5) |
Hersteller Macronix Serie MXSMIO™ Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NOR Speichergröße 4Mb (512K x 8) Speicherschnittstelle SPI Taktfrequenz 80MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 30µs, 1ms Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.65V ~ 2V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-VSOP |
Hersteller Microchip Technology Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH Speichergröße 2Mb (256K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 50µs Zugriffszeit 55ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket 32-TSOP |
Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie GL-S Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NOR Speichergröße 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 60ns Zugriffszeit 90ns Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 64-LBGA Lieferantengerätepaket 64-FBGA (9x9) |
