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THGBMHG6C1LBAW6

THGBMHG6C1LBAW6

Nur als Referenz

Teilenummer THGBMHG6C1LBAW6
PNEDA Teilenummer THGBMHG6C1LBAW6
Beschreibung IC FLASH MEM MMC 153FBGA
Hersteller Toshiba Memory America, Inc.
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Auf Lager 6.678
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 23 - Feb 28 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

THGBMHG6C1LBAW6 Ressourcen

Marke Toshiba Memory America, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerTHGBMHG6C1LBAW6
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
THGBMHG6C1LBAW6, THGBMHG6C1LBAW6 Datenblatt (Total Pages: 20, Größe: 2.312,2 KB)
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  • THGBMHG6C1LBAW6 Distributor

THGBMHG6C1LBAW6 Technische Daten

HerstellerToshiba Memory America, Inc.
Serie-
Speichertyp-
Speicherformat-
Technologie-
Speichergröße-
Speicherschnittstelle-
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung-
Betriebstemperatur-
Montagetyp-
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket-

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

JS28F256M29EWLB TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

256Mb (32M x 8, 16M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

110ns

Zugriffszeit

110ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

56-TSOP

AT27LV256A-90JC

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EPROM

Technologie

EPROM - OTP

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

90ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

32-LCC (J-Lead)

Lieferantengerätepaket

32-PLCC (13.97x11.43)

MT46H32M32LFCM-6 L IT:A TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR

Speichergröße

1Gb (32M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

5.0ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

90-VFBGA

Lieferantengerätepaket

90-VFBGA (10x13)

PF38F3050M0Y0CEA

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

IS61LPS25618A-200TQI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

4.5Mb (256K x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.1ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

100-TQFP (14x20)

Kürzlich verkauft

NUP2201MR6T1G

NUP2201MR6T1G

ON Semiconductor

TVS DIODE 5V 20V 6TSOP

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MP2144GJ-Z

Monolithic Power Systems Inc.

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IC REG MULTI CONFG ADJ TSOT23-5

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ON Semiconductor

TRANS NPN 80V 0.5A SOT-223

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TVS DIODE 5.25V 17V SOT23-6

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Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 200V POWERDI123

MC9S08DN16CLC

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NXP

IC MCU 8BIT 16KB FLASH 32LQFP

FA-20H 12.0000MD30Z-K3

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EPSON

CRYSTAL 12.00 MHZ 10.0PF SMD

CMSH1-40 TR13

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Central Semiconductor Corp

DIODE SCHOTTKY 40V 1A SMB

HCPL-4200-500E

HCPL-4200-500E

Broadcom

OPTOISO 3.75KV RECEIVER 8DIP GW

ADR421ARZ

ADR421ARZ

Analog Devices

IC VREF SERIES 2.5V 8SOIC

ABM8-166-114.285MHZ-T2

ABM8-166-114.285MHZ-T2

Abracon

CRYSTAL 114.2850MHZ 18PF SMD