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TD352IDT

TD352IDT

Nur als Referenz

Teilenummer TD352IDT
PNEDA Teilenummer TD352IDT
Beschreibung IC IGBT/MOSFET DRIVER ADV 8-SOIC
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 145.200
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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TD352IDT Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerTD352IDT
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber
Datenblatt
TD352IDT, TD352IDT Datenblatt (Total Pages: 18, Größe: 235,45 KB)
PDFTD352IN Datenblatt Cover
TD352IN Datenblatt Seite 2 TD352IN Datenblatt Seite 3 TD352IN Datenblatt Seite 4 TD352IN Datenblatt Seite 5 TD352IN Datenblatt Seite 6 TD352IN Datenblatt Seite 7 TD352IN Datenblatt Seite 8 TD352IN Datenblatt Seite 9 TD352IN Datenblatt Seite 10 TD352IN Datenblatt Seite 11

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TD352IDT Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
Angetriebene KonfigurationHigh-Side
KanaltypSingle
Anzahl der Treiber1
Gate-TypIGBT, N-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung12V ~ 26V
Logikspannung - VIL, VIH0.8V, 4.2V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)1.3A, 1.7A
EingabetypNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)-
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)100ns, 100ns (Max)
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SO

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

3-Phase

Anzahl der Treiber

6

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

12V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 3V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

200mA, 350mA

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

125ns, 50ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

44-LCC (J-Lead), 32 Leads

Lieferantengerätepaket

44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)

L6389EDTR

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

17V (Max)

Logikspannung - VIL, VIH

1.1V, 1.8V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

400mA, 650mA

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

70ns, 40ns

Betriebstemperatur

-45°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

-

2SP0320V2A0-17

Power Integrations

Hersteller

Power Integrations

Serie

SCALE™-2

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT

Spannung - Versorgung

14.5V ~ 15.5V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

20A, 20A

Eingabetyp

-

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

1700V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

7ns, 25ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

MP1924AHR-LF-P

Monolithic Power Systems Inc.

Hersteller

Monolithic Power Systems Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2.6A, 4.5A

Eingabetyp

-

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

115V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

15ns, 12ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

10-VDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

10-QFN (4x4)

ISL6613IRZ-T

Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10.8V ~ 13.2V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.25A, 2A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

36V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

26ns, 18ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

10-VFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

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