TC8220K6-G
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| Teilenummer | TC8220K6-G | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | TC8220K6-G | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | MOSFET 2N/2P-CH 200V 12VDFN | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Microchip Technology | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 13.458 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
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TC8220K6-G Ressourcen
| Marke | Microchip Technology |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | TC8220K6-G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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TC8220K6-G Technische Daten
| Hersteller | Microchip Technology |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N and 2 P-Channel |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 56pF @ 25V |
| Leistung - max | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 12-VFDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 12-DFN (4x4) |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 109A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9880pF @ 25V Leistung - max 480W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP3 Lieferantengerätepaket SP3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs 18.3mOhm @ 8.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.4nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 540pF @ 10V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
Hersteller Cree/Wolfspeed Serie Z-Rec® FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss) 1700V (1.7kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 325A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 225A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 15mA (Typ) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1076nC @ 20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 20000pF @ 1000V Leistung - max 1760W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 68mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 15V Leistung - max 1.9W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket 8-DFN (3x2) |
Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1290pF @ 10V Leistung - max 600mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket 8-TSSOP |
