TC7920K6-G
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| Teilenummer | TC7920K6-G |
| PNEDA Teilenummer | TC7920K6-G |
| Beschreibung | MOSFET 2N/2P-CH 200V 12VDFN |
| Hersteller | Microchip Technology |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.860 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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TC7920K6-G Ressourcen
| Marke | Microchip Technology |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | TC7920K6-G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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TC7920K6-G Technische Daten
| Hersteller | Microchip Technology |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N and 2 P-Channel |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10Ohm @ 1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 52pF @ 25V |
| Leistung - max | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 12-VFDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 12-DFN (4x4) |
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie U-MOSVII FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate, 1.2V Drive Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 250mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 42pF @ 10V Leistung - max 150mW (Ta) Betriebstemperatur 150°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket ES6 |
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