TC75S101FE,LM(T
Nur als Referenz
| Teilenummer | TC75S101FE,LM(T |
| PNEDA Teilenummer | TC75S101FE-LM-T |
| Beschreibung | IC OPAMP GP 1 CIRCUIT ESV |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.750 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 20 - Apr 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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TC75S101FE Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | TC75S101FE,LM(T |
| Kategorie | Halbleiter › Verstärker-ICs › Linear - Verstärker - Instrumentierung, Operationsverstärker, Pufferverstärker |
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TC75S101FE Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Verstärkertyp | General Purpose |
| Anzahl der Schaltkreise | 1 |
| Ausgabetyp | - |
| Anstiegsgeschwindigkeit | 0.15V/µs |
| Produkt mit Bandbreite gewinnen | - |
| -3db Bandbreite | - |
| Current - Input Bias | 0.1pA |
| Spannung - Eingangsversatz | 1.2mV |
| Stromversorgung | 63µA |
| Strom - Ausgang / Kanal | 1.5mA |
| Spannung - Versorgung, einfach / doppelt (±) | 1.5V ~ 5.5V, ±0.75V ~ 2.75V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-553 |
| Lieferantengerätepaket | ESV |
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Hersteller Broadcom Limited Serie - Verstärkertyp Isolation Anzahl der Schaltkreise 1 Ausgabetyp Differential Anstiegsgeschwindigkeit - Produkt mit Bandbreite gewinnen - -3db Bandbreite 100kHz Current - Input Bias 570nA Spannung - Eingangsversatz 600µV Stromversorgung 10.7mA Strom - Ausgang / Kanal 11mA Spannung - Versorgung, einfach / doppelt (±) 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -55°C ~ 125°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SMD Butt Joint Lieferantengerätepaket 8-SMD Butt Joint |
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