TC58NYG2S0HBAI6
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| Teilenummer | TC58NYG2S0HBAI6 |
| PNEDA Teilenummer | TC58NYG2S0HBAI6 |
| Beschreibung | IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA |
| Hersteller | Toshiba Memory America, Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.968 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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TC58NYG2S0HBAI6 Ressourcen
| Marke | Toshiba Memory America, Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | TC58NYG2S0HBAI6 |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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TC58NYG2S0HBAI6 Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Memory America, Inc. |
| Serie | - |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
| Speichergröße | 4Gb (512M x 8) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 25ns |
| Zugriffszeit | 25ns |
| Spannung - Versorgung | 1.7V ~ 1.95V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 67-VFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 67-VFBGA (6.5x8) |
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