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TC58NVG1S3ETAI0

TC58NVG1S3ETAI0

Nur als Referenz

Teilenummer TC58NVG1S3ETAI0
PNEDA Teilenummer TC58NVG1S3ETAI0
Beschreibung IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I
Hersteller Toshiba Memory America, Inc.
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Auf Lager 2.304
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TC58NVG1S3ETAI0 Ressourcen

Marke Toshiba Memory America, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerTC58NVG1S3ETAI0
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
TC58NVG1S3ETAI0, TC58NVG1S3ETAI0 Datenblatt (Total Pages: 65, Größe: 491,53 KB)
PDFTC58NVG1S3ETAI0 Datenblatt Cover
TC58NVG1S3ETAI0 Datenblatt Seite 2 TC58NVG1S3ETAI0 Datenblatt Seite 3 TC58NVG1S3ETAI0 Datenblatt Seite 4 TC58NVG1S3ETAI0 Datenblatt Seite 5 TC58NVG1S3ETAI0 Datenblatt Seite 6 TC58NVG1S3ETAI0 Datenblatt Seite 7 TC58NVG1S3ETAI0 Datenblatt Seite 8 TC58NVG1S3ETAI0 Datenblatt Seite 9 TC58NVG1S3ETAI0 Datenblatt Seite 10 TC58NVG1S3ETAI0 Datenblatt Seite 11

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TC58NVG1S3ETAI0 Technische Daten

HerstellerToshiba Memory America, Inc.
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH - NAND (SLC)
Speichergröße2Gb (256M x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite25ns
Zugriffszeit25ns
Spannung - Versorgung2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Lieferantengerätepaket48-TSOP I

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

36Mb (1M x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

375MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-LBGA

Lieferantengerätepaket

165-FBGA (15x17)

Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

256Mb (32M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

120MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

30µs, 750µs

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

PCM (PRAM)

Technologie

PCM (PRAM)

Speichergröße

128Mb (16M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel, SPI

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

115ns

Zugriffszeit

115ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

64-TBGA

Lieferantengerätepaket

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S34ML02G100BHA000

SkyHigh Memory Limited

Hersteller

SkyHigh Memory Limited

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

CY7C2270XV18-633BZXC

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, DDR II+

Speichergröße

36Mb (1M x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

633MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

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Paket / Fall

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