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TC58NVG1S3ETAI0

TC58NVG1S3ETAI0

Nur als Referenz

Teilenummer TC58NVG1S3ETAI0
PNEDA Teilenummer TC58NVG1S3ETAI0
Beschreibung IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I
Hersteller Toshiba Memory America, Inc.
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Auf Lager 2.304
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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TC58NVG1S3ETAI0 Ressourcen

Marke Toshiba Memory America, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerTC58NVG1S3ETAI0
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
TC58NVG1S3ETAI0, TC58NVG1S3ETAI0 Datenblatt (Total Pages: 65, Größe: 491,53 KB)
PDFTC58NVG1S3ETAI0 Datenblatt Cover
TC58NVG1S3ETAI0 Datenblatt Seite 2 TC58NVG1S3ETAI0 Datenblatt Seite 3 TC58NVG1S3ETAI0 Datenblatt Seite 4 TC58NVG1S3ETAI0 Datenblatt Seite 5 TC58NVG1S3ETAI0 Datenblatt Seite 6 TC58NVG1S3ETAI0 Datenblatt Seite 7 TC58NVG1S3ETAI0 Datenblatt Seite 8 TC58NVG1S3ETAI0 Datenblatt Seite 9 TC58NVG1S3ETAI0 Datenblatt Seite 10 TC58NVG1S3ETAI0 Datenblatt Seite 11

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TC58NVG1S3ETAI0 Technische Daten

HerstellerToshiba Memory America, Inc.
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH - NAND (SLC)
Speichergröße2Gb (256M x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite25ns
Zugriffszeit25ns
Spannung - Versorgung2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Lieferantengerätepaket48-TSOP I

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Micron Technology Inc.

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Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

60ns

Zugriffszeit

95ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, DDR II

Speichergröße

36Mb (1M x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

375MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

2Mb (128K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

45ns

Zugriffszeit

45ns

Spannung - Versorgung

2.2V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-VFBGA

Lieferantengerätepaket

48-VFBGA (6x8)

CY14B116N-Z30XI

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

NVSRAM

Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Speichergröße

16Mb (1M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

30ns

Zugriffszeit

30ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

48-TSOP I

IS64LV25616AL-12TA3-TR

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

4Mb (256K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

12ns

Zugriffszeit

12ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

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