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TC58NVG1S3ETAI0

TC58NVG1S3ETAI0

Nur als Referenz

Teilenummer TC58NVG1S3ETAI0
PNEDA Teilenummer TC58NVG1S3ETAI0
Beschreibung IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I
Hersteller Toshiba Memory America, Inc.
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Auf Lager 2.304
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

TC58NVG1S3ETAI0 Ressourcen

Marke Toshiba Memory America, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerTC58NVG1S3ETAI0
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
TC58NVG1S3ETAI0, TC58NVG1S3ETAI0 Datenblatt (Total Pages: 65, Größe: 491,53 KB)
PDFTC58NVG1S3ETAI0 Datenblatt Cover
TC58NVG1S3ETAI0 Datenblatt Seite 2 TC58NVG1S3ETAI0 Datenblatt Seite 3 TC58NVG1S3ETAI0 Datenblatt Seite 4 TC58NVG1S3ETAI0 Datenblatt Seite 5 TC58NVG1S3ETAI0 Datenblatt Seite 6 TC58NVG1S3ETAI0 Datenblatt Seite 7 TC58NVG1S3ETAI0 Datenblatt Seite 8 TC58NVG1S3ETAI0 Datenblatt Seite 9 TC58NVG1S3ETAI0 Datenblatt Seite 10 TC58NVG1S3ETAI0 Datenblatt Seite 11

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TC58NVG1S3ETAI0 Technische Daten

HerstellerToshiba Memory America, Inc.
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH - NAND (SLC)
Speichergröße2Gb (256M x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite25ns
Zugriffszeit25ns
Spannung - Versorgung2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Lieferantengerätepaket48-TSOP I

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Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

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-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

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-

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

2Mb (128K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

45ns

Zugriffszeit

45ns

Spannung - Versorgung

2.2V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-VFBGA

Lieferantengerätepaket

48-VFBGA (6x8)

Hersteller

Macronix

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

8Mb (1M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

104MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

30µs, 3ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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IS43TR16128B-15HBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR3

Speichergröße

2Gb (128M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

667MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.425V ~ 1.575V

Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

96-TFBGA

Lieferantengerätepaket

96-TWBGA (9x13)

DS2502P-E64+

Maxim Integrated

Hersteller

Maxim Integrated

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EPROM

Technologie

EPROM - OTP

Speichergröße

1Kb (128 x 8)

Speicherschnittstelle

1-Wire®

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.8V ~ 6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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