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TC58CYG0S3HRAIG

TC58CYG0S3HRAIG

Nur als Referenz

Teilenummer TC58CYG0S3HRAIG
PNEDA Teilenummer TC58CYG0S3HRAIG
Beschreibung 1GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V
Hersteller Toshiba Memory America, Inc.
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Auf Lager 8.292
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

TC58CYG0S3HRAIG Ressourcen

Marke Toshiba Memory America, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerTC58CYG0S3HRAIG
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
TC58CYG0S3HRAIG, TC58CYG0S3HRAIG Datenblatt (Total Pages: 42, Größe: 2.106,82 KB)
PDFTC58CYG0S3HQAIE Datenblatt Cover
TC58CYG0S3HQAIE Datenblatt Seite 2 TC58CYG0S3HQAIE Datenblatt Seite 3 TC58CYG0S3HQAIE Datenblatt Seite 4 TC58CYG0S3HQAIE Datenblatt Seite 5 TC58CYG0S3HQAIE Datenblatt Seite 6 TC58CYG0S3HQAIE Datenblatt Seite 7 TC58CYG0S3HQAIE Datenblatt Seite 8 TC58CYG0S3HQAIE Datenblatt Seite 9 TC58CYG0S3HQAIE Datenblatt Seite 10 TC58CYG0S3HQAIE Datenblatt Seite 11

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TC58CYG0S3HRAIG Technische Daten

HerstellerToshiba Memory America, Inc.
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH - NAND (SLC)
Speichergröße2Gb (256M x 8)
SpeicherschnittstelleSPI
Taktfrequenz104MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-WDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket8-WSON (6x8)

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

SRAM - Dual Port, Synchronous

Speichergröße

576Kb (32K x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

12ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

4Mb (256K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

12ns

Zugriffszeit

12ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR4

Speichergröße

24Gb (768M x 32)

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

1.866GHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

0.6V, 1.1V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

AT49BV002ANT-70JU

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

2Mb (256K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

50µs

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

32-LCC (J-Lead)

Lieferantengerätepaket

32-PLCC (13.97x11.43)

IDT71V416VL12PH

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

4Mb (256K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

12ns

Zugriffszeit

12ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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