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T9G0081003DH

T9G0081003DH

Nur als Referenz

Teilenummer T9G0081003DH
PNEDA Teilenummer T9G0081003DH
Beschreibung SCR PHASE CTRL MOD 800V 1000A
Hersteller Powerex Inc.
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T9G0081003DH Ressourcen

Marke Powerex Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerT9G0081003DH
KategorieHalbleiterThyristorenThyristoren - SCRs - Module
Datenblatt
T9G0081003DH, T9G0081003DH Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 502,89 KB)
PDFT9G0221003DH Datenblatt Cover
T9G0221003DH Datenblatt Seite 2 T9G0221003DH Datenblatt Seite 3 T9G0221003DH Datenblatt Seite 4

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T9G0081003DH Technische Daten

HerstellerPowerex Inc.
Serie-
StrukturSingle
Anzahl der SCRs, Dioden1 SCR
Spannung - Aus Zustand800V
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)1000A
Current - On State (It (RMS)) (max.)1590A
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)3V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max)200mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)15500A, 17000A
Current - Hold (Ih) (Max)-
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallTO-200 Variation

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Hersteller

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Serie

-

Struktur

Single

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR

Spannung - Aus Zustand

3.6kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

860A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

2000A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

250mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

18000A @ 50Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

500mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

DO-200AC, K-PUK

VS-T70RIA120

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Struktur

Single

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR

Spannung - Aus Zustand

1.2kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

70A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

110A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

120mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

1660A, 1740A

Current - Hold (Ih) (Max)

200mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

D-55 T-Module

IRKT136/08

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Struktur

Series Connection - SCR/Diode

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR, 1 Diode

Spannung - Aus Zustand

800V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

135A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

300A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

3200A, 3360A

Current - Hold (Ih) (Max)

200mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

INT-A-PAK (3 + 4)

VS-VSKN71/12

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Struktur

Series Connection - SCR/Diode

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR, 1 Diode

Spannung - Aus Zustand

1.2kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

75A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

165A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

1300A, 1360A

Current - Hold (Ih) (Max)

250mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

ADD-A-PAK (3 + 4)

T9S7281403DH

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

-

Struktur

Single

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR

Spannung - Aus Zustand

2.8kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

1500A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

2356A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

3V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

200mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

19600A, 20000A

Current - Hold (Ih) (Max)

-

Betriebstemperatur

-20°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

TO-200 Variation

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