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T9G0061203DH

T9G0061203DH

Nur als Referenz

Teilenummer T9G0061203DH
PNEDA Teilenummer T9G0061203DH
Beschreibung SCR PHASE CTRL MOD 600V 1200A
Hersteller Powerex Inc.
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Auf Lager 5.886
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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T9G0061203DH Ressourcen

Marke Powerex Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerT9G0061203DH
KategorieHalbleiterThyristorenThyristoren - SCRs - Module
Datenblatt
T9G0061203DH, T9G0061203DH Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 498,58 KB)
PDFT9G0141203DH Datenblatt Cover
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T9G0061203DH Technische Daten

HerstellerPowerex Inc.
Serie-
StrukturSingle
Anzahl der SCRs, Dioden1 SCR
Spannung - Aus Zustand600V
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)1200A
Current - On State (It (RMS)) (max.)1880A
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)3V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max)200mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)24650A, 27000A
Current - Hold (Ih) (Max)-
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallTO-200 Variation

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Struktur

Series Connection - SCR/Diode

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR, 1 Diode

Spannung - Aus Zustand

800V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

300A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

116A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

3V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

200mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

6500A, 6900A

Current - Hold (Ih) (Max)

600mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 140°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

INT-A-Pak

TT330N14KOFHPSA2

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Struktur

Series Connection - All SCRs

Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs

Spannung - Aus Zustand

1.6kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

330A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

520A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

200mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

12500A @ 50Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

300mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 130°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

VS-VSKT152/04PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Struktur

Series Connection - All SCRs

Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs

Spannung - Aus Zustand

400V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

150A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

330A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

4000A, 4200A

Current - Hold (Ih) (Max)

200mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

INT-A-Pak

VS-P105W

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Struktur

Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1)

Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs, 2 Diodes

Spannung - Aus Zustand

1.2kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

-

Current - On State (It (RMS)) (max.)

-

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

60mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

357A, 375A

Current - Hold (Ih) (Max)

130mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Struktur

Series Connection - SCR/Diode

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR, 1 Diode

Spannung - Aus Zustand

1.6kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

45A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

100A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

850A, 890A

Current - Hold (Ih) (Max)

200mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

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