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T660N22TOFPRXOSA1

T660N22TOFPRXOSA1

Nur als Referenz

Teilenummer T660N22TOFPRXOSA1
PNEDA Teilenummer T660N22TOFPRXOSA1
Beschreibung DIODE BG-T5726K-1
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 7.920
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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T660N22TOFPRXOSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerT660N22TOFPRXOSA1
KategorieHalbleiterThyristorenThyristoren - SCRs - Module

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T660N22TOFPRXOSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
StrukturSingle
Anzahl der SCRs, Dioden1 SCR
Spannung - Aus Zustand2.2kV
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)660A
Current - On State (It (RMS)) (max.)1500A
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)2.2V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max)250mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)13000A @ 50Hz
Current - Hold (Ih) (Max)300mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallTO-200AB, A-PUK

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Hersteller

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Serie

-

Struktur

Series Connection - All SCRs

Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs

Spannung - Aus Zustand

1.8kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

64A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

100A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

1.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

100mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

1500A, 1600A

Current - Hold (Ih) (Max)

200mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

TO-240AA

IRKH71/14A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Struktur

Series Connection - SCR/Diode

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR, 1 Diode

Spannung - Aus Zustand

1.4kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

75A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

165A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

1665A, 1740A

Current - Hold (Ih) (Max)

250mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

ADD-A-PAK (3 + 2)

IRKL105/10A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Struktur

Series Connection - SCR/Diode

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR, 1 Diode

Spannung - Aus Zustand

1kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

105A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

235A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

1785A, 1870A

Current - Hold (Ih) (Max)

200mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 130°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

ADD-A-PAK (3 + 2)

T7H8086504DN

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

-

Struktur

Single

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR

Spannung - Aus Zustand

800V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

650A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

1020A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

3V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

8200A, 9000A

Current - Hold (Ih) (Max)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

TO-200 Variation

T720104504DN

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

-

Struktur

Single

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR

Spannung - Aus Zustand

1kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

450A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

700A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

3V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

7650A, 8400A

Current - Hold (Ih) (Max)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

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